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* 棋子皆放在棋点上。每方将己棋全放在最靠近自方右侧与下侧的棋点，剩下棋盘中心三个以横方向排列的棋点为空棋位。
* 每回合玩家可能有二种行动，以跳吃为优先：
* 跳吃。己棋跳过一枚邻边的敌棋落到同线的紧连空点，然后把被跳过的敌棋移出棋盘，可再吃子时必须连跳吃。
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光登伯效应（英语：photo-Dember effect)，半导体受飞秒激光激发后，发出带电的电磁辐射，这是由于极快电子-空穴对在很强载流子梯度而造成的。同时，由于电子和空穴的迁移率不同，破坏了表面的对称性，半导体表面附近形成垂直表面的电偶极矩（正极在下，负极在上）。这种效应，称为光登伯效应。它是美国物理学家Harry Dember于1931年发现的。
光登伯效应的主要应用之一是用来产生太赫兹脉冲辐射或太赫兹时间范畴谱仪。大多数半导体都具有光登伯效应，但在狭带隙半导体，如InAs 和InSb ，它们具有较高的电子迁移率，而光登伯效应较强。
近来已有人能做出与激化面平行的极化面光登伯效应。
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在恒星形成过程中，当分子云的热压力不足以抵抗引力时，会在引力的作用下发生塌缩，这一现象称为金斯不稳定性，以物理学家詹姆士·金斯为名。在分子云的内部，存在引力和因分子热运动产生的热压力。如果热压力足够高，则微小的密度涨落能够被热压力所克服，如果热压力比起引力来说是可以被忽略的，那么微小的密度涨落能够被无限放大，最终导致整个分子云在引力的作用下塌缩。塌缩的临界尺度为
称为金斯长度。如果密度扰动区域的长度大于金斯长度时，会发生引力塌缩。对于给定尺度L的分子云，定义金斯密度
当分子云的密度大于金斯密度或质量大于金斯质量时，会发生引力塌缩。塌缩的过程中介质的黏性可以忽略，因此塌缩时标是自由落体时标
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