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相当四等官之长官。唐名大理卿。定员1名，惯例是由现任的正、权中纳言或参议担任，左、右卫门督或左、右兵卫督的兼任者中补任。也有参议四位兼任检非违使别当之例。
相当四等官之次官。定员2名，左、右卫门权佐兼务。别当有许多兼务，所以是实质上的检非违使厅的责任者。
相当四等官之判官。定员4名，卫门大尉兼务。明法家的坂上氏及中原氏世袭。
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足立站是位于日本冈山县新见市神郷油野的西日本旅客铁道伯备线铁路车站。
* 1972年 - 石灰石搬运专用列车D513重连的发车站。当时有专门运输足立石灰的支线。
* 1987年4月1日 - 国铁分割民营化、成为西日本旅客铁道车站。
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CMP技术早期主要应用于光学镜片的抛光和晶圆的抛光。
20世纪70年代，多层金属化技术被引入到集成电路制造工艺中，此技术使芯片的垂直空间得到有效的利用，并提高了器件的集成度。但这项技术使得硅片表面不平整度加剧，由此引发的一系列问题（如引起光刻胶厚度不均进而导致光刻受限）严重影响了大规模集成电路（LSI）的发展。针对这一问题，业界先后开发了多种平坦化技术，主要有反刻、玻璃回流、旋涂膜层等，但效果并不理想。80年代末，IBM公司将CMP技术进行了发展使之应用于硅片的平坦化，其在表面平坦化上的效果较传统的平坦化技术有了极大的改善，从而使之成为了大规模集成电路制造中有关键地位的平坦化技术。
化学机械平坦化是表面全局平坦化技术中的一种，既可以认为是化学增强型机械抛光也可以认为是机械增强型湿法化学刻蚀。该工艺使用具有研磨性和腐蚀性的磨料，并配合使用抛光垫和支撑环。抛光垫的尺寸通常比硅片要大。抛光垫和硅片被一个可活动的抛光头压在一起，而塑料的支撑环则用于保持硅片的位置。硅片和抛光垫同时转动（通常是以相反的方向转），但是它们的中心并不重合。在这个过程中硅片表面的材料和不规则结构都被除去，从而达到平坦化的目的。平面化后的硅片表面使得干式刻蚀中的图样的成型更加容易。平滑的硅片表面还使得使用更小的金属图样成为可能，从而能够提高集成度。
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