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* 大里浩秋・李廷江编『辛亥革命とアジア』御茶の水书房、2013年
* 大里浩秋编『戦后日本と中国・朝鲜―「プランゲ文库」を一つの手がかりとして』研文出版、2013年3月
* 三泽真美恵编『电波・电影・电视―现代东アジアの连锁するメディア』青弓社、2012年10月
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该剧从1924年任弼时从苏联留学归来讲起，一直到1950年任弼时因病逝世结束，讲述了任弼时参加革命的戎马生涯。
该剧是“纪念任弼时100周年诞辰”的献礼剧。
2011年，任弼时嫡孙任继宁在北京市朝阳区人民法院状告该剧侵犯其父亲任远远（任弼时儿子）同名编剧作品，却不署名编剧是任远远。
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碳化硅是目前正在研究的半导体，已在快速切换、高温及高电压的应用上，进行前期的大量生产。第一个可用的元件是肖特基二极管、之后是结型场效应管及高速切换的功率MOSFET。目前正在开发双极性晶体管及晶闸管。
碳化矽元件商品化的主要问题是如何去除缺陷：包括边缘位错、螺旋位错（空心和闭合）、三角形缺陷及基面位错。因此，虽然有许多研究设法要改善特性，但最早期SiC材料的元件，其反向电压阻隔能力不好。除了晶体品质外，SiC和二氧化矽的界面问题也影响了SiC MOSFET及IGBT的发展。渗氮已大幅改善了介面问题，不过其机制还不清楚。
2008年已有第一个商品化的JFET，额定1200V，之后是2011年第一个商品化的MOSFET，额定电压1200 V。SiC的开关以及SiC肖特基二极管（SBD）有常见的TO-247及TO-220封装外，许多厂商也开始将SiC裸晶放在功率模组中。
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