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日历所，宋朝中央官修史书编修机构之一。日历指按日编制的史料长编。掌记录国家时政，修撰国史。
宋朝编修机构之多、成书量之浩，前代未有。中书省设编修条例司，枢密院设编修司，还有敕令所、玉牒所。唐顺宗永贞元年（805年）九月，令史官修撰日历，是修日历的开始。宋初隶属于门下省编修院，专掌国史、实录，修纂日历。宋神宗元丰四年（1081年）废编修院，日历所归史馆。元丰五年（1082年）元丰改制，改属秘书省国史案。由著作郎与著作佐郎掌管，以宰相、执政时政记、起居郎与起居舍人起居注所记事会集修撰。元丰六年（1083年）诏秘书省正副长官不得参预著作修纂日历之事，进书须系衔，以防漏泄，如旧编修院的规定。宋哲宗元祐五年（1090年），改国史案置国史局，专掌国史、实录，编修日历，改隶属门下省。绍圣二年（1095年），命日历所还属秘书省。宋高宗绍兴元年（1131年），改为修日历所，命本省正副长官一起修纂。绍兴三年（1133年），诏令宰相提举，侍从官修撰，改称修国史日历所。绍兴十年（1140年），诏令依旧制并归秘书省国史案，以著作郎与著作佐郎修纂。不久又改名国史日历所，并修《神宗、哲宗宝训》。宋孝宗隆兴元年（1163年），诏编类圣政所并入日历所，依旧以宰相提领。
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在金属中由于有大量电子移动抵消外加电场，外加的电场能使金属表层的电荷分布发生改变。然而，在半导体中，正负电荷的密度较低，无法完全抵消外加电场，所以外加电场会在半导体材料表面附近改变材料的导电性，这被称为“场效应”。场效应应用于肖特基二极管，场效应晶体管（主要指的是MOSFET，JFET和MESFET）。
在外加电场的作用下，接近半导体表面一定深度下的电子能级发生改变，这导致了材料表面的导电性发生改变，也使得材料表面区域的电子能占有的能级发生变化。这种效应具有代表性的表征方式是“能带弯曲图”。能带弯曲图表征了材料表面的能带边界Ef, Ec, Ev与进入材料深度x之间的关系。
如右图所示一个典型的能带弯曲图。为了简化，能带中的能量单位是eV，电压的单位是V，避免了引入参数q作为单位电荷。右图中显示的是一个双层结构，左边是绝缘体层，右边是半导体层。一个使用类似结构的例子是MOS电容，一个双端的结构，一边是金属栅极端，一边是半导体材料（比如硅）端，中间夹着一层绝缘层（比如氧化硅）。右图中，左边的子图显示出了导带的最低能级（Conduction Edge）和价带的最高能级（Valence Edge）。这些能带在外加电压V的作用下发生弯曲。依照习惯，图中显示的是电子的拥有能量，所以一个正电压作用于半导体材料会使材料表面的能带向下弯曲。虚线表示的是能级占有情况费米能级Ef：低于Ef倾向于被电子占领，导带在外加电压作用下向下弯曲更加接近Ef，表明在接近绝缘层的地方导带中存在更多的电子。
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