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使用传统的矽半导体器件制造技术，即可在晶圆上形成SiGe。在CMOS制程方面，SiGe制程的成本和矽制程相当，但在异质接面技术方面，SiGe制程的成本比砷化镓制程还要低。近来，使用有机金属气相磊晶 （MOVPE）沉积高纯度的含Ge薄膜、SiGe和应变矽时，会使用只有少量危害的液体来当做替代物，像有机锗化合物前体（如：异丁基锗烷、三氯锗烷、二甲氨基三氯锗烷）。
拥有SiGe制作服务的共有以下几家公司：国际商务机器（IBM）、意法半导体（STMicroelectronics）、台湾积体电路制造股份有限公司（TSMC）、飞思卡尔（Freescale，原本的摩托罗拉半导体部门）、索尼（Sony）、Atmel、Chartered Semiconductor Manufacturing、Micrel、英飞凌（Infineon）、德州仪器（TI）、IHP、Jazz Semiconductor，原本的胜讯（Conexant）。超微半导体（AMD）有意加入IBM的SiGe应变矽技术开发计划，让技术迈入65nm级规模。
2015年七月，IBM公司宣布通过SiGe工艺制成了7 nanometer级晶体管，有望使晶体管的产量上升三倍。
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丹尼尔·克里斯辛格（Daniel R. Crissinger,7月12日）出生于美国俄亥俄州马里恩县（Marion County），1923年5月1日被任命为联邦储备委员会第三任主席，于1927年9月15日辞职。
1886年，克里斯辛格在俄亥俄州马里恩（Marion）从事法律工作。他担任过两个任期的检察官，并同时担任过三个任期的城市律师。在担任城市律师之后，他担任了Marion Steam Shovel Co.的总顾问长达22年。他作为监事在马里恩市国家银行工作，该银行后来成为国家城市银行和信托公司。
克里斯辛格在担任美联储主席之前曾担任货币主计长（Comptroller of the Currency）。尽管后来的一些主席专注于刺激经济增长，但他采用了更为传统的方法，即通过降低利率来提供信贷。
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