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崇祯十七年（1644年）二月，诏加兵部尚书兼工部尚书、文渊阁大学士。三月，蒋德璟罢相后，继任首辅。同月，太监杜勋入城劝降，帝问藻德意见，藻德不发一语，崇祯大怒，当著魏藻德的面推倒龙椅。
闯王李自成破燕京，藻德投降。李自成责问藻德为何不殉死？魏藻德回答说：「方求效用，那敢死。」，自成部将刘宗敏下令勒索内阁，求十万两白银。魏藻德仅输一万两，刘宗敏认为太少，将之刑求五日五夜，脑裂而死。
闯军又逮捕其子索要银两，其子说：「家已罄尽。父在，犹可丐诸门生故旧。今已死，复何所贷？」，闯军将之斩首。
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902号密西西比州州道全段位于史密斯县。根据Mississippi Department of Transportation在2018年的数据，此公路临近32-A号史密斯县县道（Smith County Road 32-A, CO 32-A）一带之年平均每日交通流量（AADT）为210车辆架次。此公路在密西西比州法典第65-3-3条中被同时定义为“902号密西西比州州道”及“35号密西西比州州道Connector (road)”，但它实际上只有“902号密西西比州州道”的记认。作为Mississippi State Highway System的一部分，此公路由密西西比州交通局负责养护。公路共有两条行车线，一来一回，路面铺沥青，私家车或客车限速65英里每小时，货车或货车拖车限速55英里每小时。
公路始于位于伯恩斯一带的非建制地区内与481号密西西比州州道的three-way junction，并向北行。由于此公路完全位于比恩维尔国家森林内，此公路的大部分路段被森林围绕，而公路沿线也有几个农场。公路然后与502-A号史密斯县县道（502号史密斯县县道砾石）和前往35号密西西比州州道近柠檬镇（Lemon）的32-A号史密斯县县道交汇。公路然后转向东北方近32-B号史密斯县县道，并继续以该方向延伸，并止于其与35号密西西比州州道在近洛雷纳一带的交汇处。如果沿公路继续向前走，则会进入32号史密斯县县道，并终于克莱恩（Klein）以西北与541号史密斯县县道的交汇处。
约于1967年，一段位于史密斯县比恩维尔国家森林、连接481号密西西比州州道与35号密西西比州州道的砾石路建成，并在一年后完成铺设。该道路于1998年在州公路地图中获编为“902号密西西比州州道”。
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在金属中由于有大量电子移动抵消外加电场，外加的电场能使金属表层的电荷分布发生改变。然而，在半导体中，正负电荷的密度较低，无法完全抵消外加电场，所以外加电场会在半导体材料表面附近改变材料的导电性，这被称为“场效应”。场效应应用于肖特基二极管，场效应晶体管（主要指的是MOSFET，JFET和MESFET）。
在外加电场的作用下，接近半导体表面一定深度下的电子能级发生改变，这导致了材料表面的导电性发生改变，也使得材料表面区域的电子能占有的能级发生变化。这种效应具有代表性的表征方式是“能带弯曲图”。能带弯曲图表征了材料表面的能带边界Ef, Ec, Ev与进入材料深度x之间的关系。
如右图所示一个典型的能带弯曲图。为了简化，能带中的能量单位是eV，电压的单位是V，避免了引入参数q作为单位电荷。右图中显示的是一个双层结构，左边是绝缘体层，右边是半导体层。一个使用类似结构的例子是MOS电容，一个双端的结构，一边是金属栅极端，一边是半导体材料（比如硅）端，中间夹着一层绝缘层（比如氧化硅）。右图中，左边的子图显示出了导带的最低能级（Conduction Edge）和价带的最高能级（Valence Edge）。这些能带在外加电压V的作用下发生弯曲。依照习惯，图中显示的是电子的拥有能量，所以一个正电压作用于半导体材料会使材料表面的能带向下弯曲。虚线表示的是能级占有情况费米能级Ef：低于Ef倾向于被电子占领，导带在外加电压作用下向下弯曲更加接近Ef，表明在接近绝缘层的地方导带中存在更多的电子。
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