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1901年法国政府将这栋建筑物送给巴黎市政府,从此小皇宫就成为巴黎市政府的美术宫殿,为巴黎15所市政府博物馆之一。
小皇宫内部的绘画装饰完成于1903年至1925年间。装饰设计师的意图是使小皇宫博物馆既具备宫殿的华丽,又有公共建筑的某种庄严。宫内各主体建筑装饰画以“艺术之都巴黎”为总主题。
巴黎市议会选择了一些在名胜装饰方面经验丰富的成名艺术家,承担小皇宫各部分的装饰。
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* Part.1(发行日期:2016年11月17日)
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音频放大器是由李·德富雷斯特在1912年左右发明,肇因于他在1907年发明了第一个实用的放大电气元件三极真空管,从而促成其事。三极管是一种三端元件,具有一个控制网格,可以调节从灯丝到板子的电子流。三极管真空管放大器被用来制造第一台调幅收音机。早期的音频功率放大器基于真空管,其中一些实现了非常高的音频品质(例如1947至1949年的Williamson amplifier)。
随著1960年代后期廉价电晶体的广泛应用,基于电晶体的音频功率放大器变得实用。自1970年代以来,大多数现代音频放大器都基于固态电晶体,尤其是双极性接面型电晶体(BJT)和金属氧化物半导体场效电晶体(MOSFET)。与真空管放大器相比,基于电晶体的放大器重量更轻、更可靠而且需要的维护更少。
MOSFET由Mohamed M. Atalla和Dawon Kahng于1959年在贝尔实验室发明,1974年由日本东北大学的西泽润一改造为用于音频的功率MOSFET。山叶很快就为他们的高传真音频放大器制造出功率MOSFET。JVC、先锋公司、索尼和东芝也在1974年开始制造带有功率MOSFET 的放大器。1977年,日立推出了LDMOS(横向扩散MOS),一种功率MOSFET。日立是1977年至1983年间唯一的LDMOS制造商,在此期间,LDMOS被用于HH Electronics(V 系列)和Ashly Audio等制造商的音频功率放大器,并用于音乐和Public address system。D类放大器在1980年代中期获得成功,当时低成本、快速开关的MOSFET变得可用。许多电晶体放大器在其功率部分使用MOSFET元件,因为它们的失真曲线更像真空管。
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