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西吉斯蒙德圆柱（Kolumna Zygmunta）是华沙最著名的地标之一，纪念齐格蒙特三世，他在1596年将波兰-立陶宛首都从克拉科夫迁往华沙。
西吉斯蒙德圆柱兴建于1643年到1644年，由齐格蒙特三世的儿子瓦迪斯瓦夫四世下令建造。设计者是意大利出生的建筑师Constantino Tencalla和雕塑家Clemente Molli。西吉斯蒙德圆柱模仿了罗马圣母大殿前的意大利圆柱（1614年，卡罗马德尔诺设计），以及罗马的佛卡斯圆柱（瓦迪斯瓦夫四世1625年访问罗马）。
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印第安纳琼斯冒险旅程：水晶骷髅头魔宫（インディ・ジョーンズ・アドベンチャー：クリスタルスカルの魔宫）是一个位于日本千叶县东京迪士尼海洋内的enhanced motion vehicle（EMV）类型游乐设施，以电影《印地安纳琼斯》系列为故事背景，在2001年9月4日开幕。游客在设施内乘坐改造过的军用运输车辆，跟随考古探险家印地安纳·琼斯一同进入失落的魔宫探险。
在美国加州的迪士尼乐园探险世界内另有一座在1995年开幕的类似设施：「Indiana Jones Adventure: Temple of the Forbidden Eye」（Indiana Jones Adventure: Temple of the Forbidden Eye）。
由于佛罗里达州迪士尼好莱坞影城中的「Indiana Jones Epic Stunt Spectacular」（Indiana Jones Epic Stunt Spectacular）的成功，乔治·卢卡斯决定与迪士尼合作，在加州的迪士尼乐园内建造新的游乐设施。与之前的合作方案不同，加州的禁忌之眼魔宫有著「1935年印度失落三角洲」的故事背景设定。而东京的「印第安纳琼斯冒险旅程：水晶骷髅头魔宫」则是是迪士尼与卢卡斯影业之间的第七度合作。
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矽锗（Silicon-germanium，缩写为SiGe），是一种合金，依矽和锗的莫耳比可以表示成SixGe1-x。常被用作积体电路（IC）中的半导体材料，可做成异质结双极性晶体管或CMOS电晶体中的应变诱发层（strain-inducing layer）。IBM公司于1989年在工业生产中引入了硅锗合金相关技术，这一新技术使混合讯号积体电路和类比积体电路的设计与生产多了一项选择。
使用传统的矽半导体器件制造技术，即可在晶圆上形成SiGe。在CMOS制程方面，SiGe制程的成本和矽制程相当，但在异质接面技术方面，SiGe制程的成本比砷化镓制程还要低。近来，使用有机金属气相磊晶 （MOVPE）沉积高纯度的含Ge薄膜、SiGe和应变矽时，会使用只有少量危害的液体来当做替代物，像有机锗化合物前体（如：异丁基锗烷、三氯锗烷、二甲氨基三氯锗烷）。
拥有SiGe制作服务的共有以下几家公司：国际商务机器（IBM）、意法半导体（STMicroelectronics）、台湾积体电路制造股份有限公司（TSMC）、飞思卡尔（Freescale，原本的摩托罗拉半导体部门）、索尼（Sony）、Atmel、Chartered Semiconductor Manufacturing、Micrel、英飞凌（Infineon）、德州仪器（TI）、IHP、Jazz Semiconductor，原本的胜讯（Conexant）。超微半导体（AMD）有意加入IBM的SiGe应变矽技术开发计划，让技术迈入65nm级规模。
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