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洗冰车主要由废水收集槽、热水罐、清洁剂容器、冰铲以及刷子组成，发动机或电动机则负责推动控制上述装置的液压装置与车辆的移动功能。
冰铲装置在车辆前部，作业时，冰铲利用洗冰车本身的重量所施加的压力，均匀地刮除表层的一层冰（刮除的深浅可由液压装置控制），清洁剂随后喷出，喷除任何松动部分并进行基本清洁，产生的废冰由刷子集中收集，并由一个螺旋输送器收送至废水储存槽。收入储存槽的冰融为水后，经一定的过滤送至热水罐再利用。
最后，装置在车辆后部的洒水管均匀地喷洒出一层热水（温度约在140°F至160°F，60℃），填补冰面缺陷并形成一层干净的表面，由车辆尾部的毛刷确保冰面平整一致。使用热水是为了稍微融化下方的冰层，形成更坚固的接合面，让冰面不易崩碎或开裂，增加新冰面的耐用度与安全性。许多溜冰场中所用的水会被过滤，以除去任何矿物质或化学物质，这些杂质可能使冰脆、软，或是影响冰面的颜色和清晰度。
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使用传统的矽半导体器件制造技术，即可在晶圆上形成SiGe。在CMOS制程方面，SiGe制程的成本和矽制程相当，但在异质接面技术方面，SiGe制程的成本比砷化镓制程还要低。近来，使用有机金属气相磊晶 （MOVPE）沉积高纯度的含Ge薄膜、SiGe和应变矽时，会使用只有少量危害的液体来当做替代物，像有机锗化合物前体（如：异丁基锗烷、三氯锗烷、二甲氨基三氯锗烷）。
拥有SiGe制作服务的共有以下几家公司：国际商务机器（IBM）、意法半导体（STMicroelectronics）、台湾积体电路制造股份有限公司（TSMC）、飞思卡尔（Freescale，原本的摩托罗拉半导体部门）、索尼（Sony）、Atmel、Chartered Semiconductor Manufacturing、Micrel、英飞凌（Infineon）、德州仪器（TI）、IHP、Jazz Semiconductor，原本的胜讯（Conexant）。超微半导体（AMD）有意加入IBM的SiGe应变矽技术开发计划，让技术迈入65nm级规模。
2015年七月，IBM公司宣布通过SiGe工艺制成了7 nanometer级晶体管，有望使晶体管的产量上升三倍。
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* 上季评判之一Eric Nicholson已由Nolé Marin取代。
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