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太仆寺少卿王重光子。生于嘉靖九年（1530年）庚寅十二月十八日，嘉靖四十年（1561年）辛酉科山东乡试第十五名举人，经过谒选，万历二年（1574年）授山西隰州知州。不到一年，隰州称治。三年调任霍州，六年升任大名府同知，入京任户部员外郎。不久，奉命前往江西监理漕运，万历十六年戊子七月三十日卒于任内，年五十九。后崇祀新城乡贤祠。

曾祖王伍，善行载县志。祖父王麟，教授赠通议大夫户部右侍郎。父王重光，太仆寺少卿，加赠通议大夫户部右侍郎。母刘氏，封太淑人，生六子。兄王之翰，监生封文林郎知县，赠按察副使。次兄王之垣，户部侍郎。弟王之城，博野知县。王之猷，礼部主事、按察副使。王之栋。

娶于氏，封宜人，生四子：王象蒙，庚辰进士、江西道监察御史、光禄寺少卿；王象震，廪生；王象斗，戊子举人、进士；王象节，戊子举人、翰林院检讨。

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在金属中由于有大量电子移动抵消外加电场，外加的电场能使金属表层的电荷分布发生改变。然而，在半导体中，正负电荷的密度较低，无法完全抵消外加电场，所以外加电场会在半导体材料表面附近改变材料的导电性，这被称为“场效应”。场效应应用于肖特基二极管，场效应晶体管（主要指的是MOSFET，JFET和MESFET）。

在外加电场的作用下，接近半导体表面一定深度下的电子能级发生改变，这导致了材料表面的导电性发生改变，也使得材料表面区域的电子能占有的能级发生变化。这种效应具有代表性的表征方式是“能带弯曲图”。能带弯曲图表征了材料表面的能带边界Ef, Ec, Ev与进入材料深度x之间的关系。

如右图所示一个典型的能带弯曲图。为了简化，能带中的能量单位是eV，电压的单位是V，避免了引入参数q作为单位电荷。右图中显示的是一个双层结构，左边是绝缘体层，右边是半导体层。一个使用类似结构的例子是MOS电容，一个双端的结构，一边是金属栅极端，一边是半导体材料（比如硅）端，中间夹着一层绝缘层（比如氧化硅）。右图中，左边的子图显示出了导带的最低能级（Conduction Edge）和价带的最高能级（Valence Edge）。这些能带在外加电压V的作用下发生弯曲。依照习惯，图中显示的是电子的拥有能量，所以一个正电压作用于半导体材料会使材料表面的能带向下弯曲。虚线表示的是能级占有情况费米能级Ef：低于Ef倾向于被电子占领，导带在外加电压作用下向下弯曲更加接近Ef，表明在接近绝缘层的地方导带中存在更多的电子。

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