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1953年6月，徐寿增随炮兵65师入朝作战，担任文化教员、政治处助理员。入朝参战不久即朝鲜停战。徐于1954年随部队回国。在朝鲜期间，徐寿增立三等功1次，2等功1次，并获朝鲜民主主义人民共和国二级战士荣誉勋章。回国后徐寿增升任副指导员。

1956年进入炮兵第五预备学校学习，1957年转入沈阳高射炮兵学校学习，1958年9月毕业，至炮兵67师任职。

1966年2月随部队进入越南，参加抗美援越战争，执行越南北部防空作战任务。同年11月轮换回国。随后在炮67师继续任职，1981年担任该师政治委员，1985年7月任北京军区政治部副主任。1990年1月任武警政委。1992年12月调任兰州军区副政委，1995年进入国防大学学习。1996年退役。

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音频放大器是由李·德富雷斯特在1912年左右发明，肇因于他在1907年发明了第一个实用的放大电气元件三极真空管，从而促成其事。三极管是一种三端元件，具有一个控制网格，可以调节从灯丝到板子的电子流。三极管真空管放大器被用来制造第一台调幅收音机。早期的音频功率放大器基于真空管，其中一些实现了非常高的音频品质（例如1947至1949年的Williamson amplifier）。

随著1960年代后期廉价电晶体的广泛应用，基于电晶体的音频功率放大器变得实用。自1970年代以来，大多数现代音频放大器都基于固态电晶体，尤其是双极性接面型电晶体（BJT）和金属氧化物半导体场效电晶体（MOSFET）。与真空管放大器相比，基于电晶体的放大器重量更轻、更可靠而且需要的维护更少。

MOSFET由Mohamed M. Atalla和Dawon Kahng于1959年在贝尔实验室发明，1974年由日本东北大学的西泽润一改造为用于音频的功率MOSFET。山叶很快就为他们的高传真音频放大器制造出功率MOSFET。JVC、先锋公司、索尼和东芝也在1974年开始制造带有功率MOSFET 的放大器。1977年，日立推出了LDMOS（横向扩散MOS），一种功率MOSFET。日立是1977年至1983年间唯一的LDMOS制造商，在此期间，LDMOS被用于HH Electronics（V 系列）和Ashly Audio等制造商的音频功率放大器，并用于音乐和Public address system。D类放大器在1980年代中期获得成功，当时低成本、快速开关的MOSFET变得可用。许多电晶体放大器在其功率部分使用MOSFET元件，因为它们的失真曲线更像真空管。

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