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在物理学中，场效应指的是使用外加的电场改变材料的导电性。
在金属中由于有大量电子移动抵消外加电场，外加的电场能使金属表层的电荷分布发生改变。然而，在半导体中，正负电荷的密度较低，无法完全抵消外加电场，所以外加电场会在半导体材料表面附近改变材料的导电性，这被称为“场效应”。场效应应用于肖特基二极管，场效应晶体管（主要指的是MOSFET，JFET和MESFET）。
在外加电场的作用下，接近半导体表面一定深度下的电子能级发生改变，这导致了材料表面的导电性发生改变，也使得材料表面区域的电子能占有的能级发生变化。这种效应具有代表性的表征方式是“能带弯曲图”。能带弯曲图表征了材料表面的能带边界Ef, Ec, Ev与进入材料深度x之间的关系。
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伊戈尔·留里科维奇，简称伊戈尔，是东斯拉夫民族的第一个王朝留里克王朝的直系血缘祖先，第二位基辅罗斯大公爵，第三位诺夫哥罗德王公，也是第三位被俄罗斯史书明确记载的君主。
伊戈尔为瓦良格人，意即“来自瑞典的维京人”，在古罗斯的主要文献《往年纪事》中关于他的记载较为稀少，但是比前两代的留里克和奥列格要多。《俄罗斯编年史》把他塑造成和留里克一样的半神话式的人物，并宣称他是留里克的儿子。
从912年或922年，由于他前任奥列格的去世，伊戈尔开始正式统治起基辅罗斯，加上他原本就继承的诺夫哥罗德，一时间他成为了全俄罗斯最高的统治者。他与奥列格的关系有多种推测，他可能是想排除奥列格的管辖而复兴留里克，亦可能只是暴力篡位并在事后捏造自己的血脉，对此俄罗斯史书上并无明确记载。在他登基后就迅速建立起大量的后宫，并效仿欧洲的封建制度，把自己的子孙分封到罗斯公国的各个区域中去，导致在蒙古入侵前的罗斯人统治者均和留里克王朝有关。
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小威廉·克里斯蒂安·布列特（William Christian Bullitt, Jr.；），曾担任美国驻法大使和第一任美国驻苏大使。
1891年，出生于费城律师家庭。1913年，毕业于耶鲁大学。一战期间，当过费城《大众纪事报》战地记者。1918年，出席巴黎和会。1919年，访问苏联会晤列宁。1933年，美苏建交，为首任驻苏联大使。1936年，任驻法国大使。1941年，赴北非和近东执行外交使命。1942年，任海军部长欧内斯特·约瑟夫·金的特别助理，后因副国务卿萨姆纳·威尔斯辞职案，被解职。1944年，任《生活》杂志驻外记者，曾参加战斗法国军队，获少校军衔。
* 《Thomas Woodrow Wilson: A Psychological Study》（1966年）
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