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在硅熔化前,可以向坩埚中添加硼、磷等材料,这样,拉制出的硅棒就具有与纯硅不同的电学性质。上述添加的材料被称为“杂质”,对应工艺过程被称为“掺杂”,得到的材料被称为“杂质半导体”。如果半导体材料不是硅,而是其他化合物(如砷化镓),同样可以使用直拉法来制备单晶材料。
通过上述直拉工艺制备的单晶硅是制造大积体电路的基础材料,被用于计算机、电视机、移动电话和其他各种电子设备中。
使用直拉法工艺制备单晶硅时,常用石英(主要成分为二氧化硅)坩埚作为器皿。这样做的一个不可避免的结果,就是器皿本身因为高温加热,将发生热分解,导致熔融状态硅中混入氧,其浓度的典型数量级为1018cm-3。氧杂质将带来一些好处。严格的退火工艺可以使氧沉淀下来。这些氧可以俘获半导体材料中不必要的过渡金属。除此之外,氧杂质还能够改善硅晶圆的机械强度,因为它能够固定制备流程中被引入的位错。1990年代,高浓度氧被发现能够在硅材料粒子探测器(例如欧洲核子研究组织中的大型强子对撞机项目)中用于辐射加固。因此,用这样的硅制成的辐射探测器,是将来进行高能粒子实验的理想设备。在后期的退火过程中,硅中的氧杂质也能俘获其他不必要的杂质。
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