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MOSFET由Mohamed M. Atalla和Dawon Kahng于1959年在贝尔实验室发明，1974年由日本东北大学的西泽润一改造为用于音频的功率MOSFET。山叶很快就为他们的高传真音频放大器制造出功率MOSFET。JVC、先锋公司、索尼和东芝也在1974年开始制造带有功率MOSFET 的放大器。1977年，日立推出了LDMOS（横向扩散MOS），一种功率MOSFET。日立是1977年至1983年间唯一的LDMOS制造商，在此期间，LDMOS被用于HH Electronics（V 系列）和Ashly Audio等制造商的音频功率放大器，并用于音乐和Public address system。D类放大器在1980年代中期获得成功，当时低成本、快速开关的MOSFET变得可用。许多电晶体放大器在其功率部分使用MOSFET元件，因为它们的失真曲线更像真空管。
在2010年代，仍然有音频爱好者、音乐家（尤其是电吉他、电贝斯、哈蒙德电风琴和罗德斯电钢琴等乐器演奏者）、音频工程师和音乐制作人更喜欢基于真空管的放大器，并且认为那是“温暖的”Tube sound。
音频功率放大器的关键设计参数是频率响应、增益、噪声和失真。这些是相互依存的；增加增益通常会导致噪声和失真的不良增加。虽然负反馈实际上降低了增益，但它也减少了失真。大多数音频放大器都是属于AB类的线性放大器。
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瓦伊斯运动，是19世纪后期至20世纪早期鞑靼斯坦鞑靼人的反俄政治、社会、宗教运动，也包含阶级斗争和民族主义。运动奠基人是鞑靼人巴哈韦提丁·瓦伊塞夫。
这个运动在鞑靼人各阶层也得广泛支持，虽然巴哈韦提丁·瓦伊塞夫在1884年被逮捕，但他的信徒仍然在伏尔加河流域活动。
运动指挥者瓦伊塞夫主张不服从俄罗斯法律和官吏，逃税和拒绝获得配有双头鹰的俄罗斯护照，只忠诚于沙里亚法和古兰经。在他和一些领导人被捕后，他的信徒转向地下活动。瓦伊塞夫在1893年死后，他的儿子Gainan在二十世纪初继续领导活动。
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何塞·加列戈斯·阿诺萨（José Gallegos y Arnosa，9月20日）是西班牙画家和雕塑家。
1857年5月3日出生于加的斯省赫雷斯-德拉弗龙特拉。青年时代与萨尔瓦多·桑切斯·巴尔布多是挚友，都酷爱绘画。身为雪利酒酒庄职员的父亲将他送入皇家圣费尔南多美术学院学习建筑和绘画，师从费德里科·马德拉索。毕业后，他来到摩洛哥的丹吉尔，被那里的异国情调所吸引，继而创作了许多画。之后来到马德里，举办个人画展。在马德里待了一段时间后，他又搬到了威尼斯，受到了马里亚诺·福图尼东方主义的影响。1891年，他的画作在柏林国际美术展览会上获得金奖。1900年至1906年，他为家乡赫雷斯的圣地亚哥教堂设计了许多雕塑作品。1917年在意大利王国罗马首都广域市安济奥逝世。
加列戈斯的作品收藏于世界各地，包括西班牙马德里普拉多博物馆、索菲娅王后国家艺术中心博物馆、美国波士顿美术馆、德国包岑博物馆和俄罗斯圣彼得堡宗教历史博物馆等。
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